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GB01SLT12-252
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GB01SLT12-252 Especificaciones técnicas
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 1A |
Supplier Device Package | TO-252 |
Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 2µA @ 1200V |
Capacitance @ Vr, F | 69pF @ 1V, 1MHz |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V (1.2kV) |
Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -55°C ~ 175°C |
Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
Current - Average Rectified (Io) | 1A |
GB01SLT12-252 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para GB01SLT12-252
-
Hojas de datos
GB01SLT12-252.pdf
Otros incluyen "GB01S" partes
Las siguientes partes incluyen 'GB01S'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2709 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 5298 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2685 |
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