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GA10JT12-247
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GA10JT12-247 Especificaciones técnicas
TRANS SJT 1.2KV 10A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140 mOhm @ 10A |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | - |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | 3.5V |
Supplier Device Package | TO-247AB |
Power Dissipation (Max) | 170W (Tc) |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
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-
Hojas de datos
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Otros incluyen "GA10J" partes
Las siguientes partes incluyen 'GA10J'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
GA10JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2798 |
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