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1N8030-GA Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.39V @ 750mA
Supplier Device Package TO-257
Reverse Recovery Time (trr) 0ns
Package / Case TO-257-3
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 650V
Capacitance @ Vr, F 76pF @ 1V, 1MHz
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 250°C
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Current - Average Rectified (Io) 750mA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N8031-GA GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2640
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2689
1N8033-GA GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2596
1N8034-GA GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2753
1N8035-GA GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2607

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