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1N5831 Especificaciones técnicas

DIODE SCHOTTKY 35V 25A DO4

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual
Manufacturer GeneSiC Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 580mV @ 25A
Supplier Device Package DO-4
Packaging Bulk
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Schottky
Current - Average Rectified (Io) 25A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 35V
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type Chassis, Stud Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 2mA @ 20V
Capacitance @ Vr, F -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
1N5830 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2665
1N5830 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2798
1N5830R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2773
1N5831R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2674
1N5832 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2669
1N5832 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2715
1N5832R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2596
1N5833 GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2696
1N5833 Microsemi Diodos - Rectificadores - Individual 2548
1N5833R GeneSiC Semiconductor Diodos - Rectificadores - Individual 2695

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