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1N3768 Especificaciones técnicas
DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Diodos - Rectificadores - Individual |
Manufacturer | GeneSiC Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Supplier Device Package | DO-5 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature - Junction | -65°C ~ 190°C |
Diode Type | Standard |
Current - Average Rectified (Io) | 35A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V (1kV) |
Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Package / Case | DO-203AB, DO-5, Stud |
Mounting Type | Chassis, Stud Mount |
Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacitance @ Vr, F | - |
1N3768 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para 1N3768
-
Hojas de datos
1.1N3768.pdf 2.1N3768.pdf
Otros incluyen "1N376" partes
Las siguientes partes incluyen '1N376'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
1N3765 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2749 |
1N3765R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2513 |
1N3766 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2565 |
1N3766 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2581 |
1N3766R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2596 |
1N3766R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 0 |
1N3767 | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2502 |
1N3767 | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2692 |
1N3767R | GeneSiC Semiconductor | Diodos - Rectificadores - Individual | 2559 |
1N3767R | Microsemi | Diodos - Rectificadores - Individual | 2603 |
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