TN6718A_D74Z Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 1.2A TO-226

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 1W
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 50 @ 250mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 1.2A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 10mA, 250mA
Supplier Device Package TO-226
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
TN6714A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2605
TN6714A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2589
TN6714A ON Semiconductor Transistores BJT individuales
TN6714A Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
TN6714A_D26Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2658
TN6714A_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2732
TN6714A_D27Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2747
TN6714A_D27Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2517
TN6715A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2770
TN6715A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2755

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