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SSD2009ATF Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 50V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SOP
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A
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Otros incluyen   "SSD20"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SSD20 Bussmann (Eaton) Fusibles Especiales, Eléctricos 2716
SSD20 Eaton - Bussmann Electrical Division Fusibles Eléctricos
SSD2002-TF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 2302
SSD2002ATF S CIs Calientes Especializados 2469
SSD2002ATF. SAMSUNG CIs Calientes Especializados 2780
SSD2002STF Samsung Semiconductor CIs Calientes Especializados 2500
SSD2002TF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 3397
SSD2003 S CIs Calientes Especializados 33000
SSD2003 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19265
SSD2003-TF Original CIs Calientes Especializados 33500

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