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SGS6N60UFDTU Especificaciones técnicas

IGBT 600V 6A 22W TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 3A, 80 Ohm, 15V
Switching Energy 57µJ (on), 25µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 52ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 15nC
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/60ns
Supplier Device Package TO-220F
Power - Max 22W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 25A
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Otros incluyen   "SGS6N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SGS6N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SGS6N60UFDTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2555
SGS6N60UFDTU Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
SGS6N60UFDTU ON Semiconductor IGBTs individuales
SGS6N60UFTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2662
SGS6N60UFTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2799
SGS6N60UFTU ON Semiconductor IGBTs individuales

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