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SGR2N60UFDTF Especificaciones técnicas

IGBT 600V 2.4A 25W DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 1.2A, 200 Ohm, 15V
Switching Energy 30µJ (on), 13µJ (off)
Power - Max 25W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 1.2A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/80ns
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 9nC
Current - Collector (Ic) (Max) 2.4A
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Otros incluyen   "SGR2N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'SGR2N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
SGR2N60UFD FSC CIs Calientes Especializados 2775
SGR2N60UFDTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2801
SGR2N60UFDTF ON Semiconductor IGBTs individuales
SGR2N60UFDTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2731
SGR2N60UFDTM Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 2786
SGR2N60UFDTM ON Semiconductor IGBTs individuales

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