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RFD4N06LSM9A
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RFD4N06LSM9A Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 4A DPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Power Dissipation (Max) | 30W (Tc) |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 5V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
RFD4N06LSM9A Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para RFD4N06LSM9A
-
Hojas de datos
RFD4N06LSM9A.pdf
Otros incluyen "RFD4N" partes
Las siguientes partes incluyen 'RFD4N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
RFD4N06L | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 847 |
RFD4N06L MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 697 |
RFD4N06LSM | FAI | CIs Calientes Especializados | 1516 |
RFD4N06LSM9A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2595 |
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