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PN200 Especificaciones técnicas

TRANS PNP 45V 0.5A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Transistor Type PNP
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
PN200 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 8939
PN200 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
PN200 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
PN200A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2802
PN200A Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1437
PN200A ON Semiconductor Transistores BJT individuales
PN200A_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2555
PN200A_D26Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2786
PN200A_D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 0
PN200A_D74Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2547

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