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NDS8961 Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8-SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 190pF @ 15V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Power - Max 900mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.1A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDS8926 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2567
NDS8926 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 2567
NDS8926 ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NDS8926-NL F CIs Calientes Especializados 569
NDS8926-NL MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 16262
NDS8926A-NL F CIs Calientes Especializados 3387
NDS8928 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 626
NDS8928-NL FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 16160
NDS8934 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 61180
NDS8934 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 6379

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