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NDS8852H Especificaciones técnicas

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 80 mOhm @ 3.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Power - Max 1W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.3A, 3.4A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
NDS8839H SOP-8 CIs Calientes Especializados 2912
NDS8839H-NL F CIs Calientes Especializados 18578
NDS8839H-NL MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19035
NDS8839H-NL. FAI CIs Calientes Especializados 2500
NDS8839H_NL FSC CIs Calientes Especializados 651
NDS8852H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 50000
NDS8852H ON Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
NDS8858 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2500
NDS8858H Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7800
NDS8858H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 7800

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