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MPSA65
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MPSA65 Especificaciones técnicas
TRANS PNP DARL 30V 1.2A TO-92
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30V |
Transistor Type | PNP - Darlington |
Power - Max | 625mW |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Mounting Type | Through Hole |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20000 @ 100mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.5V @ 100µA, 100mA |
Supplier Device Package | TO-92-3 |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 100MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
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Otros incluyen "MPSA6" partes
Las siguientes partes incluyen 'MPSA6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
MPSA63 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3129 |
MPSA63 | Central Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2273 |
MPSA63 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2750 |
MPSA63 | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPSA63 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Transistores BJT individuales | |
MPSA63-TRA | Central Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 36379 |
MPSA63G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 3700 |
MPSA63G | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales | |
MPSA63RLRA | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2599 |
MPSA63RLRA | ON Semiconductor | Transistores BJT individuales |
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