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MPSA10 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 40V 0.1A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type NPN
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 40 @ 5µA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic -
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 125MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Otros incluyen   "MPSA1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'MPSA1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MPSA10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2870
MPSA10-BEC BEC CIs Calientes Especializados 4076
MPSA10_D74Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2653
MPSA10_D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2503
MPSA12 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3038
MPSA12 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 7935
MPSA12 Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MPSA12 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MPSA12G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2699
MPSA12G ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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