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MJE3055TTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 10A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 75W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJE3005G ON CIs Calientes Especializados 2519
MJE3055 FSC CIs Calientes Especializados 3355
MJE3055T STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5209
MJE3055T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 25858
MJE3055T ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE3055T IC Toshiba Semiconductor and Storage CIs Calientes Especializados 2408
MJE3055TG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2706
MJE3055TG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJE3055TL UTC CIs Calientes Especializados 2257
MJE3055TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3191

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