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MJD50TF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 400V 1A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.56W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 300mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 1A
Supplier Device Package TO-252-3
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 10MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 200µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD50 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2682
MJD50 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD50-1 MOTOLORA CIs Calientes Especializados 924
MJD50G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 5376
MJD50G ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD50LT4 ON/FSC CIs Calientes Especializados 8000
MJD50T4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6683
MJD50T4 STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 6683
MJD50T4 ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD50T4 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 648

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