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MJD41CTF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 6A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.75W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 15 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 600mA, 6A
Supplier Device Package TO-252AA
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD41 AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 19148
MJD41C Original CIs Calientes Especializados 1281
MJD41C MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 380
MJD41C-1G ON CIs Calientes Especializados 457
MJD41CG ON CIs Calientes Especializados 7233
MJD41CRL ON CIs Calientes Especializados 35500
MJD41CRL Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
MJD41CRLG AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 452
MJD41CRLG ON Semiconductor Transistores BJT individuales
MJD41CRLG MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 429

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