MJD31CTF_NBDD001 Especificaciones técnicas

TRANS NPN 100V 3A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.56W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 3A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A
Supplier Device Package D-Pak
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 3MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50µA
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
MJD31 ON CIs Calientes Especializados 38361
MJD31 MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 17148
MJD31C STMicroelectronics Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 9361
MJD31C MOS ST CIs Calientes Especializados 609
MJD31C-1 FSC CIs Calientes Especializados 2234
MJD31C-13 Diodes Incorporated Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 8100
MJD31C-13 IC Diodes Incorporated CIs Calientes Especializados 3383
MJD31C-1G ON CIs Calientes Especializados 711
MJD31C-ITU FSC CIs Calientes Especializados 20150
MJD31C1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542

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