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KST5550MTF Especificaciones técnicas

TRANS NPN 140V 0.6A SOT-23

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Transistor Type NPN
Power - Max 350mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 600mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
Supplier Device Package SOT-23-3
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -
Frequency - Transition 300MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KST55 SAMSUNG CIs Calientes Especializados 3000
KST55-MTF FSC CIs Calientes Especializados 18465
KST5550MTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 18200
KST5550MTF ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KST5550MTF Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KST5551 FAIRCHI CIs Calientes Especializados 2764
KST5551-MTF SAMSUNG CIs Calientes Especializados 6000
KST5551MTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 12444
KST5551MTF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3333
KST5551MTF ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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