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KSE3055TTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 60V 10A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 600mW
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 4A, 4V
Current - Collector (Ic) (Max) 10A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 2MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 700µA
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Las siguientes partes incluyen  'KSE30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSE3055T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3095
KSE3055T Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 1869
KSE3055T Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSE3055T ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSE3055TTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2720
KSE3055TTU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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