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KSC5042FYDTU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 900V 0.1A TO220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Transistor Type NPN
Power - Max 6W
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 4mA, 20mA
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSC5019 FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 1159
KSC5019-M FAICHILD CIs Calientes Especializados 2556
KSC5019MBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2658
KSC5019MBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2791
KSC5019MBU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSC5019MTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2521
KSC5019MTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2782
KSC5019MTA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSC5019NTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2521
KSC5019NTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2556

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