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KSC1845FBU Especificaciones técnicas

TRANS NPN 120V 0.05A TO-92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN
Power - Max 500mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 1mA, 6V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 110MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSC1815GR FSC CIs Calientes Especializados 2666
KSC1815GRBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2652
KSC1815GRBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2710
KSC1815GRTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 250
KSC1815GRTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2702
KSC1815GRTA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSC1815GRTA ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSC1815YBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2542
KSC1815YBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2622
KSC1815YBU ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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