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KSB1151YSTSSTU Especificaciones técnicas

TRANS PNP 60V 5A TO-126

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.3W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 2A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
KSB1116 FSC CIs Calientes Especializados 5363
KSB1116A-Y FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 4500
KSB1116AGBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2623
KSB1116AGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2550
KSB1116AGBU Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSB1116AGBU ON Semiconductor Transistores BJT individuales
KSB1116AGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2414
KSB1116AGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 3048
KSB1116AGTA Rochester Electronics, LLC Transistores BJT individuales
KSB1116AGTA ON Semiconductor Transistores BJT individuales

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