J113_D26Z Especificaciones técnicas

JFET N-CH 35V 625MW TO92

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - JFETs
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id 500mV @ 1µA
Supplier Device Package TO-92-3
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
FET Type N-Channel
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) 2mA @ 15V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) 35V
Resistance - RDS(On) 100 Ohm
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
Drain to Source Voltage (Vdss) -
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
J113 MOS Vishay Precision Group CIs Calientes Especializados 1198
J113,126 NXP Semiconductors / Freescale Transistores - JFETs 2685
J113,126 NXP USA Inc. Transistores JFETs
J113-D74Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - JFETs 2620
J113-D74Z ON Semiconductor Transistores JFETs
J113-E3 VISHAY CIs Calientes Especializados 2722
J113_D26Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - JFETs 2736
J113_D26Z ON Semiconductor Transistores JFETs
J113_D27Z Fairchild/ON Semiconductor Transistores - JFETs 2794
J113_D27Z AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - JFETs 2708

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