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IRFR420BTM Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 2.3A DPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D-Pak
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 41W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.3A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 Ohm @ 1.15A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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Las siguientes partes incluyen  'IRFR4' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IRFR410 intersil CIs Calientes Especializados 2774
IRFR410 MOS Intersil CIs Calientes Especializados 1916
IRFR4100 VB CIs Calientes Especializados 5000
IRFR4104 IR CIs Calientes Especializados 18873
IRFR4104PBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2615
IRFR4104TR International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2727
IRFR4104TRL International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 6500
IRFR4104TRLPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1126
IRFR4104TRLPBF Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IRFR4104TRPBF International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 102377

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