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HUF76609D3 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 10A TO-251AA

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package TO-251AA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 49W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HUF76009D3S FAIRCHILD CIs Calientes Especializados 778
HUF76009D3S MOS Intersil CIs Calientes Especializados 608
HUF76009D3ST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2568
HUF76009D3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2782
HUF76013D3 F CIs Calientes Especializados 10500
HUF76013D3S Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1365
HUF76013D3S AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11464
HUF76013D3ST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 20209
HUF76013D3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1284
HUF76013D3ST Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales

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