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HGTG20N60B3D Especificaciones técnicas

IGBT 600V 40A 165W TO247

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition -
Switching Energy 475µJ (on), 1.05mJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 55ns
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 80nC
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-247
Power - Max 165W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 160A
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Otros incluyen   "HGTG2"   partes

Las siguientes partes incluyen  'HGTG2' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
HGTG20N120C3D ITS CIs Calientes Especializados 454
HGTG20N120CN Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 18
HGTG20N120CND Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 4951
HGTG20N120E2 Intersil CIs Calientes Especializados 32365
HGTG20N50C1D intersi CIs Calientes Especializados 12774
HGTG20N50E1D FSC CIs Calientes Especializados 424
HGTG20N60 Original CIs Calientes Especializados 4800
HGTG20N60A4 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 5231
HGTG20N60A4 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - IGBTs - Individual 35617
HGTG20N60A4 ON Semiconductor IGBTs individuales

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