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HGT1S3N60A4DS9A
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HGT1S3N60A4DS9A Especificaciones técnicas
IGBT 600V 17A 70W D2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 390V, 3A, 50 Ohm, 15V |
Switching Energy | 37µJ (on), 25µJ (off) |
Reverse Recovery Time (trr) | 29ns |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 21nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 17A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 3A |
Td (on/off) @ 25°C | 6ns/73ns |
Supplier Device Package | TO-263AB |
Power - Max | 70W |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
IGBT Type | - |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 40A |
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Las siguientes partes incluyen 'HGT1S'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
HGT1S10N120BNS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 3141 |
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 1180 |
HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 5213 |
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | IGBTs individuales | |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 2995 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - IGBTs - Individual | 578 |
HGT1S12N60A4DS | ON Semiconductor | IGBTs individuales |
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