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FQU8N25TU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 250V 6.2A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 3.1A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
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FQU8N25TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2665

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