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FQU4N20TU
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FQU4N20TU Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 3A IPAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | I-Pak |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 30W (Tc) |
Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQU4N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQU4N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQU4N20 | F | CIs Calientes Especializados | 2663 |
FQU4N20 MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 1269 |
FQU4N20LTU | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 24190 |
FQU4N20TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24190 |
FQU4N25TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24190 |
FQU4N25TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 24190 |
FQU4N25TU | Rochester Electronics, LLC | FQU4N25TU | |
FQU4N50 | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 5094 |
FQU4N50TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 4032 |
FQU4N50TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 7247 |
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