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FQU3N50CTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 365pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.5A (Tc)
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Otros incluyen   "FQU3N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQU3N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQU3N40 Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 421
FQU3N40TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5040
FQU3N40TU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5040
FQU3N50C FAIRCHI CIs Calientes Especializados 5309
FQU3N50CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5170
FQU3N50CTU ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQU3N60C FSC CIs Calientes Especializados 2510
FQU3N60CTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 401
FQU3N60CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5267
FQU3N60CTU ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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