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FQU10N20LTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 7.6A IPAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package I-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 830pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 51W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.6A (Tc)
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Otros incluyen   "FQU10"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQU10N20 VB CIs Calientes Especializados 1000
FQU10N20C FAIRCHI CIs Calientes Especializados 1518
FQU10N20CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 44000
FQU10N20CTU Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 44000
FQU10N20CTU ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQU10N20L VB CIs Calientes Especializados 1065
FQU10N20L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1452
FQU10N20LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2562
FQU10N20LTU Rochester Electronics, LLC Transistores MOSFET individuales
FQU10N20TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2678

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