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FQT7N10LTF Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 850mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 290pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.7A (Tc)
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Otros incluyen   "FQT7N"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQT7N' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQT7N10 F CIs Calientes Especializados 2898
FQT7N10L F CIs Calientes Especializados 5344
FQT7N10LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 48945
FQT7N10LTF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQT7N10LTF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2740
FQT7N10TF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17172
FQT7N10TF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 61316
FQT7N10TF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQT7N10TF MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1696

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