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FQPF9P25YDTU Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 250V 6A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 620 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1180pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Tc)
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FQPF9P25YDTU Documentos

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Otros incluyen   "FQPF9"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQPF9' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQPF90N08 VB CIs Calientes Especializados 37365
FQPF90N10V2 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1041
FQPF90N10V2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 21628
FQPF90N10V2 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 935
FQPF9N08 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
FQPF9N08 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
FQPF9N08L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
FQPF9N08L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5000
FQPF9N15 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3144
FQPF9N15 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1026

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