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FQPF7P20 Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 45W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 770pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Tc)
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Otros incluyen   "FQPF7"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQPF7' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQPF70N06 VB CIs Calientes Especializados 4010
FQPF70N06 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 4453
FQPF70N06C VB CIs Calientes Especializados 4000
FQPF70N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34840
FQPF70N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5246
FQPF70N10 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQPF70N10  FAIRCHIL CIs Calientes Especializados 5265
FQPF79N15 FSC CIs Calientes Especializados 273
FQPF7N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5371
FQPF7N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10487

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