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FQPF6N80 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V 3.3A TO-220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 1.65A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 51W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
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Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQPF6N80

Otros incluyen   "FQPF6"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQPF6' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQPF60N03L VB CIs Calientes Especializados 10377
FQPF60N06 FC CIs Calientes Especializados 1436
FQPF630 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3749
FQPF630 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3749
FQPF630 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQPF630 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 519
FQPF65N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24641
FQPF65N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 500
FQPF65N06 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQPF65N06 MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5316

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