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FQPF12N60T Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 5.8A TO-220F

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 700 mOhm @ 2.9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 55W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
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FQPF12N60T Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQPF12N60T

Otros incluyen   "FQPF1"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQPF1' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQPF1060C FSC CIs Calientes Especializados 368
FQPF10N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3457
FQPF10N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4816
FQPF10N20C Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 50350
FQPF10N20C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 25233
FQPF10N20C ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQPF10N20C MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 504
FQPF10N50CF Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41680
FQPF10N50CF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41680
FQPF10N50CF ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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