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FQP630TSTU
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FQP630TSTU Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 4.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 78W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
FQP630TSTU Documentos
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Otros incluyen "FQP63" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQP63'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP630 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5549 |
FQP630 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 1294 |
FQP630 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 574 |
FQP630TSTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2711 |
FQP630TSTU MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 1376 |
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