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FQP630TSTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 78W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP630 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5549
FQP630 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1294
FQP630 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 574
FQP630TSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2711
FQP630TSTU MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 1376

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