FQP4N90C Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 900V 4A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 960pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP4N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37845
FQP4N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10485
FQP4N20 Rochester Electronics, LLC FQP4N20
FQP4N20L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 43941
FQP4N20L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 43941
FQP4N20L ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP4N20L MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 2241
FQP4N25 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2445
FQP4N25 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34849
FQP4N25TM FSC CIs Calientes Especializados 5

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