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FQP33N10 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 127W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 52 mOhm @ 16.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Tc)
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Otros incluyen   "FQP33"   partes

Las siguientes partes incluyen  'FQP33' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP33N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 151930
FQP33N10 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP33N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 23792
FQP33N10L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 34946
FQP33N10L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2298

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