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FQP32N20C_F080
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FQP32N20C_F080 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 14A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 156W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28A (Tc) |
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Otros incluyen "FQP32" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQP32'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP32N12V2 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 10647 |
FQP32N12V2 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 27881 |
FQP32N12V2 | Rochester Electronics, LLC | Transistores MOSFET individuales | |
FQP32N12V2 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 451 |
FQP32N20 | FAIRCHI | CIs Calientes Especializados | 737 |
FQP32N20C | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2217 |
FQP32N20C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 34526 |
FQP32N20C | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQP32N20C_F080 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2632 |
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