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FQP22N30 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 300V 21A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'FQP22' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP22N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 23881
FQP22N30 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP22N30 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 910
FQP22N60 FSC CIs Calientes Especializados 32
FQP22P10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 42300
FQP22P10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 698
FQP22P10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 23473

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