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FQP20N06TSTU Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 20A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 53W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP20N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 54788
FQP20N06 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 1216
FQP20N06 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP20N06 IC Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 684
FQP20N06 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 517
FQP20N06L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 41001
FQP20N06L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5213
FQP20N06L ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales
FQP20N06L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 10259
FQP20N06TSTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2581

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