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FQP1P50
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FQP1P50 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 Ohm @ 750mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 63W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP1P50 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 3262 |
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