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FQP1N60
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FQP1N60 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 600V 1.2A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.2A (Tc) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 600mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 150pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
FQP1N60 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para FQP1N60
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQP1N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQP1N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP1N50 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FQP1N50 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5000 |
FQP1N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 6022 |
FQP1N60C | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
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