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FQP19N20L Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 21A TO-220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer Fairchild/ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 140 mOhm @ 10.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2200pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 140W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Tc)
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Otros incluyen   "FQP19"   partes

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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
FQP19N10 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18941
FQP19N10 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 24025
FQP19N10 MOS Fairchild/ON Semiconductor CIs Calientes Especializados 597
FQP19N10L Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 10505
FQP19N10L AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26563
FQP19N10L Rochester Electronics, LLC FQP19N10L
FQP19N10L MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5595
FQP19N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29129
FQP19N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 29129
FQP19N20 ON Semiconductor Transistores MOSFET individuales

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