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FQP17N08
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FQP17N08 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 16.5A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 115 mOhm @ 8.25A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 450pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 65W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.5A (Tc) |
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Otros incluyen "FQP17" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQP17'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP17N08 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2593 |
FQP17N08L | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39365 |
FQP17N08L | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 39365 |
FQP17N40 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30698 |
FQP17N40 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 30698 |
FQP17N40 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQP17N40 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 2920 |
FQP17P06 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 89129 |
FQP17P06 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 89129 |
FQP17P06 | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales |
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