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FQP12P10
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FQP12P10 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±30V |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 5.75A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11.5A (Tc) |
FQP12P10 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQP12" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQP12'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQP12N20 | FSC | CIs Calientes Especializados | 1372 |
FQP12N20 MOS | Fairchild/ON Semiconductor | CIs Calientes Especializados | 648 |
FQP12N40 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 353 |
FQP12N50 | FAIRCHILD | CIs Calientes Especializados | 2690 |
FQP12N60 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 29721 |
FQP12N60 | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 288 |
FQP12N60C | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 28382 |
FQP12N60C | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2367 |
FQP12N60C | ON Semiconductor | Transistores MOSFET individuales | |
FQP12N65C | VB | CIs Calientes Especializados | 5000 |
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