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FQI9N50TU
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FQI9N50TU Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 9A I2PAK
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | Fairchild/ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Supplier Device Package | I2PAK (TO-262) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 730 mOhm @ 4.5A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1450pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | QFET® |
Power Dissipation (Max) | 3.13W (Ta), 147W (Tc) |
Package / Case | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "FQI9N" partes
Las siguientes partes incluyen 'FQI9N'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
FQI9N08 | FSC | CIs Calientes Especializados | 8000 |
FQI9N08L | FSC | CIs Calientes Especializados | 8000 |
FQI9N08LTU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2653 |
FQI9N08LTU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2721 |
FQI9N08TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2605 |
FQI9N08TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2786 |
FQI9N15 | FSC | CIs Calientes Especializados | 8000 |
FQI9N15TU | Fairchild/ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2619 |
FQI9N15TU | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 0 |
FQI9N25C | FSC | CIs Calientes Especializados | 8000 |
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